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富士IGBT模塊選型手冊(cè)
富士IGBT模塊選型手冊(cè)
發(fā)布時(shí)間:2013-05-03 10:25
點(diǎn)擊次數(shù):1659 次
富士電機(jī)V系列IGBT模塊與英飛凌/Eupec相應(yīng)型號(hào)對(duì)照表
FUJIV模塊應(yīng)用推薦表注:本表格只供參考通用變頻器
發(fā)布時(shí)間:2013-04-30 09:50
點(diǎn)擊次數(shù):2415 次
富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號(hào)對(duì)照表
富士電機(jī)IGBT模塊與優(yōu)派克Eupec相應(yīng)型號(hào)對(duì)照表
發(fā)布時(shí)間:2013-04-28 13:40
點(diǎn)擊次數(shù):1672 次
IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用
IGBT在汽車(chē)點(diǎn)火系統(tǒng)中的應(yīng)用 要產(chǎn)生火花,所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點(diǎn)火線圈),以及用于控制變壓器初級(jí)電流的開(kāi)關(guān)。電子學(xué)教科書(shū)告訴我們V=Ldi/dt。因此,如果線圈初級(jí)繞組中的電流發(fā)生瞬間變化(即di/d...
發(fā)布時(shí)間:2012-12-29 17:04
點(diǎn)擊次數(shù):2383 次
SEMIKRON IGBT模塊SEMITRANS命名方法
發(fā)布時(shí)間:2012-07-01 12:14
點(diǎn)擊次數(shù):1427 次
IGBT使用注意事項(xiàng)
IGBT使用注意事項(xiàng): 使用中IGBT的注意事項(xiàng)由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效...
發(fā)布時(shí)間:2012-05-12 14:25
點(diǎn)擊次數(shù):1630 次
IGBT驅(qū)動(dòng)器
IGBT驅(qū)動(dòng)器 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT模塊)在今天的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,在實(shí)際使用中除IGBT自身外,IGBT驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的...
發(fā)布時(shí)間:2012-04-06 10:55
點(diǎn)擊次數(shù):2092 次
EUPEC模塊/英飛凌模塊命名方式
EUPEC是歐洲電力半導(dǎo)體與電子公司(EuropeanSemiconductorsandElectronicsCompany)的英文縮寫(xiě)。中文注冊(cè)名稱(chēng)為:優(yōu)派克。EUPEC成立于1990年,由西門(mén)子和德國(guó)另一家大的電器公...
發(fā)布時(shí)間:2012-02-28 10:40
點(diǎn)擊次數(shù):2814 次
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